欧美一区二区在线-亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区

氮化鎵28V，45W，DC-3.5 GHz HEMT
NPT1015B GaN HEMT都是款造成DC-3.5 GHz工作上中整合的寬帶網絡氯化鈉晶體管。該集成電路芯片結構設計方案用來CW，激光脈沖和線性網絡工作上中，導出精度熱效率為45W（46.5 dBm），利用制造業標金屬陶瓷制品封裝類型，帶有高強螺栓活套法蘭。該物品結構設計方案穩定，熱擴散系數低，堅硬抗用，都可以承受力手機輸入和導出精度的惡劣不相配，不懂破壞裝備。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	NPT1015B	1周	150

如若您需要購買NPT1015B，請點擊右側客服聯系我們！！！

特征
 適用于線性和飽和應用
 堅固耐用的設計通過15：1 VSWR測試
 高排水效率（> 55％）
 行業標準包裝
 28V操作
 可從DC-3.5 GHz調諧
 在TJ = 200°C時MTTF> 106可靠

應用
 航空航天與國防
 航空電子學
 國防通訊
 主義
 VHF / UHF / L波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦
增益：14 dB
測試頻率：2.5 GHz
Theta JC：2.1 C / W.

MACOM是全球性唯一一個一間使用rf射頻選用的GaN on Si技巧性批售商。.我在Si RF電電機耗油率結晶管類設備上供給普遍的多次波（CW）GaN，看作分立元器件封裝和模塊電源，計劃書崗位在DC至6 GHz。.我的高電電機耗油率CW和波形結晶管是商用航空航天光電機器，互聯網通訊，互聯網，長脈寬汽車雷達及工業化的，科學實驗和醫療器械選用的完美取舍。.我的類設備組合進行了MACOM超出60年的傳統性，但是用GaN on Si技巧性供給標準的和定制化來解決計劃書，以做到客最不近人情的需要量。.我的GaN on Silicon類設備，采取分立結晶管和ibms變大器，采取0.52umHEMT藝，在電電機耗油率，增加收益值，增加收益值平滑度，質量因素行為出非常好的RF能，