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?PXAE263708NB-V1 S頻譜大公率微波射頻LDMOS場滯后效應晶胞管

發布信息期限:2024-11-04 16:57:13     瀏覽網頁:668

PXAE263708NB-V1是CREE的1款400瓦(P3dB)LDMOS FET,技術應用于2620至2690 MHz頻段的多要求蜂窩狀熱效率放縮器技術性軟件應用。涉及錄入內容輸出配適;高增益控制以其具備著無突緣的熱提高封裝內容內容。PXAE263708NB-V1選取獨家的LDMOS工藝流程技木;PXAE263708NB-V1有著充分的熱安穩性和非常好的的可靠特性。

PXAE263708NB-V1.png

服務規格為

表述:高馬力RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz

最底頻次(MHz):2620

最高的人頻點(MHz):2690

P3dB輸出最大功率(W):400

收獲(dB):13.5

率(%):47

額定輸出功率(V):28

封裝專業類別:金屬

二極管封裝類型:二極管封裝類型的方式分立結晶管

新技術:LDMOS

特征英文

聯通寬帶內部的復制粘貼輸入輸出適用

非中心對稱性Doherty的設計:主P1dB=140W典范值;最快值P1dB=260 W典型示范值

常見的單脈沖CW性能指標;2655MHz;28v;多爾蒂構型;AB類:P1dB=200W時的輸入公率;P3dB=400W時的傳輸工作電壓;速率=49%(POUT=57 W標準差);增加收益=15 dB(POUT=57 W平均值)

并能解決32 V時10:1的VSWR;100 W(CW)讀取電機功率

智能家居控制化ESD保養

無鉛并考慮RoHS規定

東莞 市立維創展科技創新有限責任新公司授權文件經銷處CREE微波加熱元器件,如果必須要 購CREE軟件,請點開左下客服專員聯系起來我門!!!

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