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發布(bu)消息準確時(shi)間:2024-10-29 17:05:16 搜索:736
CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D基本模式變成器,適宜于多標準單位蜂窩狀電率變成器技術app。GTVA261802FC-V1必備條件輸入兼容、有吸收率和無軸環熱增強裝封的性。

產品的技術參數
說(shuo)明:SiC HEMT上的高工作效率(lv)RF GaN 170 W,48 V,2620-2690 MHz
最少(shao)頻帶寬度(MHz):2620
最高的頻段(MHz):2690
P3dB輸(shu)入(ru)耗油(you)率(lv)(W):170
增益值值(dB):16.8
快速率(%):43
電(dian)機額定功率(lv)的電(dian)壓(ya)(V):48
封裝形式(shi)行業類型:Earless
打(da)包封裝類(lei)型:打(da)包封裝類(lei)型分(fen)立(li)結(jie)晶管
技(ji)藝:SiC上的(de)GaN
功能
?GaN-on-SiC HEMT技術工藝
?復制粘貼替換
?其最典型的的單脈沖CW效果,組合(he)起(qi)來轉(zhuan)換,
2690 MHz,48 V,10μs電脈(mo)沖凈寬,10%pwm占空比
-P3dB=170W時的輸送工作電壓
-P3dB時的漏不(bu)高(gao)工作效率=65.5%
-P3dB=15dB時的(de)增益控制(zhi)值(zhi)
?就(jiu)可以來完成48 V、180 W(CW)工作輸出功效下(xia)10:1的(de)VSWR
?女模模式1A級(只能(neng)根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
?低熱傳導彈性系數
?無鉛并夠滿足RoHS原則
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