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?GTVA261802FC-V1高電機功率RF GaN放小器CREE

發布(bu)消息準確時(shi)間:2024-10-29 17:05:16     搜索:736

CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D基本模式變成器,適宜于多標準單位蜂窩狀電率變成器技術app。GTVA261802FC-V1必備條件輸入兼容、有吸收率和無軸環熱增強裝封的性。

GTVA261802FC-V1.png

產品的技術參數

說(shuo)明:SiC HEMT上的高工作效率(lv)RF GaN 170 W,48 V,2620-2690 MHz

最少(shao)頻帶寬度(MHz):2620

最高的頻段(MHz):2690

P3dB輸(shu)入(ru)耗油(you)率(lv)(W):170

增益值值(dB):16.8

快速率(%):43

電(dian)機額定功率(lv)的電(dian)壓(ya)(V):48

封裝形式(shi)行業類型:Earless

打(da)包封裝類(lei)型:打(da)包封裝類(lei)型分(fen)立(li)結(jie)晶管

技(ji)藝:SiC上的(de)GaN

功能

?GaN-on-SiC HEMT技術工藝

?復制粘貼替換

?其最典型的的單脈沖CW效果,組合(he)起(qi)來轉(zhuan)換,

2690 MHz,48 V,10μs電脈(mo)沖凈寬,10%pwm占空比

-P3dB=170W時的輸送工作電壓

-P3dB時的漏不(bu)高(gao)工作效率=65.5%

-P3dB=15dB時的(de)增益控制(zhi)值(zhi)

?就(jiu)可以來完成48 V、180 W(CW)工作輸出功效下(xia)10:1的(de)VSWR

?女模模式1A級(只能(neng)根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)

?低熱傳導彈性系數

?無鉛并夠滿足RoHS原則

蘇州市立維創展科(ke)技受限司(si)受限司(si)管理權限經銷處CREE微波(bo)射頻元(yuan)器,如果需購CREE產品的,請點擊率右(you)面(mian)客服(fu)在線保持(chi)聯(lian)系人們!!!

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