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公布時段:2018-06-05 15:50:41 瀏覽網頁:2505
HMC637BPM5E也是款砷化鎵(GaAs)、單單片機芯片紅外光集成式三極管(MMIC)、假晶高電子為了滿足電子時代發展的需求,轉至率硫化鋅管(pHEMT)、級聯分布圖式額定最大功率變小器,在正確工做時可建立自偏置且含有IDQ可供選擇偏置把控好和收獲值進行調節。該變小器的工做頻帶寬度使用范圍為DC至6 GHz,供應15 dB小信息收獲值、27.5 dBm導出額定最大功率(1 dB收獲值壓縮視頻)、40 dBm其最典型的導出IP3和4 dB的噪音分指數,主要包括VDD 12 V24v電源電壓電流時顯卡功耗為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz超范圍內的收獲寬闊度(常見值±0.5 dB時)尤其突出,因其特別適宜軍事體育、月球基地和測試軟件裝備軟件應用。HMC637BPM5E還體現了內部人員相匹配至50 Ω的搜索/效果(I/O),適用適合RoHS標準的的5 mm × 5 mm LFCSP預制構件空腔封裝形式,可與高存儲空間表貼技能(SMT)組裝裝備兼容。
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HMC637BPM5E
GaAs、pHEMT、MMIC、單正電源、DC至6 GHz、1 W功率放大器
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HMC637BPM5E結構圖

HMC637BPM5E應用
HMC637BPM5E優勢和特點