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CGHV96050F2炭化硅高電子為了滿足電子時代發展的需求，遷徙率尖晶石管 經銷商外盤

上傳時期：2019-02-22 10:22:17     查詢：1762

50 W，7.9 - 9.6 GHz，50歐姆，導入/轉換相匹配GaN HEMT


Wolfspeed的CGHV96050F2是氧化硅（SiC）基材上的氮化鎵（GaN）高網上滲透率尖晶石管（HEMT）。與其它新技術對比，種GaN企業內部相配（IM）FET兼具優秀的瓦數附帶質量。與硅或砷化鎵想必，GaN具優等的性，也包括更強的穿透的電壓，更強的飽和網上漂移速度慢和更強的熱傳導率。與GaAs單晶體管相信，GaN HEMT還具備更具的耗油率孔隙率和更寬的帶寬使用。該IM FET運用五金/衛浴陶瓷法蘭盤芯片封裝，都具有最優的電氣開關和溫性能。

品牌 型號 貨期 庫存
CREE CGHV96050F2 1周 300
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特征

  • 80 W POUT主要表現值


谷值輸入耗油率 50W
app L光波/ S光波/ X光波/ C光波/ Ku光波
一般的耗油率扣減利用率PAE 55％
典型的工作電壓（PSAT） 80瓦
瓦數收獲 10噪音分貝
工作的電壓電流 40 V
頻段 7.9 - 9.6 GHz
產品包裝方式 輪緣
內部管理配對 是 - 50Ω

示意圖

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