欧美一区二区在线-亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区

HMC457QS16G(E)都是款高動向標準GaAs InGaP異質結雙旋光性硫化鋅管(HBT)、1瓦特MMIC效率調小器，在1.7至2.2 GHz的平率下崗位。 該調小器運用徽型16引腳QSOP塑料管芯片封裝，其收獲在1.7至2.0 GHz平率下一般為27 dB，在2.0至2.2 GHz平率下一般為25 dB。 它僅采用較小數量統計的外部結構組件，其所在IP3能能優變成+45 dBm。 能能充分利用效率管理(Vpd)推動基本掉電或RF所在效率/交流電管理。 高所在IP3和PAE會讓HMC457QS16G(E)變成了好蜂窩/3G基站天線和中繼器應用軟件的志向效率調小器。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC457QS16GE HMC457QS16GETR	1瓦特功率放大器，采用SMT封裝，1.7 - 2.2 GHz	現貨	257

HMC457QS16G應用

• CDMA和W-CDMA
• GSM、GPRS和Edge

• 基站和中繼器

HMC457QS16G優勢和特點

• 輸出IP3： +46 dBm
• 增益： 27 dB （1900 MHz時）
  PAE為48%（Pout為+32 dBm時）
• +25 dBm的W-CDMA通道功率（ACPR為-50 dBc時）
• 集成功率控制(Vpd)
• QSOP16G SMT封裝： 29.4 mm2
• 包含在HMC-DK002設計人員套件中

HMC457QS16G結構圖