Cree單位的CMPA2560025F都是種研究背景氮化鎵(GaN)高網上遷址率單結晶體管(HEMT)的片式微波射頻模塊化控制電路(MMIC)。與硅或砷化鎵比較,GaN兼備著較高的擊穿電流電流、較高的飽和網上漂移時間和較高的熱導率。與Si和GaAs單結晶體管比較,GaN-hemt還兼備著較高的電率比熱容和更寬的上行速率的配置。各種MMIC包涵一家兩極的反應連接調大器,使比較寬的上行速率的配置能在一家小的征地賠償平數的扭松封裝形式,兼備著銅鎢水冷器。