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X3C21P1-05S也是種低形態，高特性5dB定向委培交叉耦合器，新的也容易操作，加工制造團結的界面安裝封裝。它是為WCDMA和LTE廣泛app而來設計制作的。X3C21P1-05S專為高瓦數調大器中的非二進制離心分離和組合名字而來設計制作，譬如，與3dB一起去操作以拿到3路，及其另一所需低放進去損耗率的數據分派廣泛app。它還可以用以高達hg60瓦的高瓦數廣泛app。零件圖早就過從嚴的鑒定會測試軟件，其是用熱熱脹公式（CTE）的素材加工制造的，以下素材與FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺等通常基面材料兼容。分為完全符合RoHS標準化的6/6浸錫裝飾表面研發

X3C21P1-05S特殊性：?2000-2300兆赫?WCDMA和LTE?高輸出?至關低的耗率?密切解耦?高看向性?生產舒適型?磁帶和秘藥?無鉛