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CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管

核心參數設置

CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管

rf射頻帶寬的配置（GHz）： 1.2-1.4小的信號增益值（dB）：16額定功率（W）：15有關系增益值（dB）： > 14P-1dB輸送（dBm）：-PAE（％）： > 55定購交貨期：3-4周

貨品寶貝詳情介紹

CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。

它為L頻譜的各個RF瓦數應用提拱了移動寬帶來解決實施方案。該電路系統是適和電磁預警雷達應運。

CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT的工藝上確立的。它因為準MMIC的技術。

它以貼合RoHS的SMD裝封帶來。