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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

主要叁數

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

rf射頻下行帶寬（GHz）： 1.2-1.4小手機信號增益值（dB）：20效率（W）：200一些收獲（dB）： > 14P-1dB所在（dBm）：-PAE（％）： 52備貨交貨時間：3-4周

新產品寶貝詳細介紹書

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

相當適于激光脈沖統計用途。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT的工藝上說出的。它對于準MMIC技巧。

它使用密封隔絕蝶閥法蘭瓷磚材料24v電源封裝形式，可可以提供低附生和低傳熱系數。