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CHK9013-99F 氮化鎵功率晶體管

必要性能參數

CHK9013-99F 氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@頻繁（GHz）： 18 @ 6本職工作頻繁（GHz）：最少4個過飽和額定功率（W）： 88PAE（％）@規律（GHz）： 65 @ 6購貨交貨：3-4周

企業產品詳情了解了解

CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該服務為雷達探測和電信網等不同RF電原應該用具備普通和帶寬防止情況報告。

該線路是在SiC襯底上所采用0.25μm柵長的GaN HEMT技巧制作的。

它以裸處理芯片的方式提出來，與此同時必須外鏈識別用電線路。