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CHK015AaQIA 氮化鎵功率晶體管

首要參數設置

CHK015AaQIA 氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@頻繁（GHz）：18 @ 3事業工作頻率（GHz）：數最多4個是處于飽和狀態效率（W）： 20PAE（％）@速率（GHz）： 55 @ 3購貨交貨：3-4周

貨品詳情頁解紹

CHK015AaQIA是無與倫比的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。

它為不同的rf射頻效率技術應用展示萬能和光纖寬帶來解決細則。比較適宜雷達天線和電信寬帶等多性能廣泛應用。

CHK015AaQIA是在0.5μm柵長的GaN HEMT新工藝上開發技術的。它必須一種靜態識別電路設計。

談到了在低料工費塑裝封中展示低鉆入和低導熱系數的意見。