CHA2157-99F是兩級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
它制作使用從軍事到商業區電力操作系統的豐富利用。
該電路設計分為pHEMT工序打造出,柵極的長度為0.15μm,使用襯底的通孔,新鮮空氣橋和電子設備束柵星空刻能力打造出。
它以基帶芯片主要形式提供了。
微波加熱元器件封裝
CHA2157-99F 放大器– LNA
rf射頻上行帶寬(GHZ):55-65增益值(dB):10增益值同軸度(dB):1環境噪聲指數(dB):3.5P-1dB傳輸(dBm):15定購貨期:3-4周CHA2157-99F是兩級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
它制作使用從軍事到商業區電力操作系統的豐富利用。
該電路設計分為pHEMT工序打造出,柵極的長度為0.15μm,使用襯底的通孔,新鮮空氣橋和電子設備束柵星空刻能力打造出。
它以基帶芯片主要形式提供了。