CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路設計選取要求的pHEMT方法研發:柵極長短0.25μm,使用的基板的通孔,大氣橋和手機束柵星空刻。
它以電子器件行駛打造。
紅外光元電子元件
CHA2190-99F 放大器– LNA
頻射上行寬帶(GHZ):20 - 30增加收益(dB):15增加收益同軸度(dB):0.5噪音指數公式(dB):2.2P-1dB工作輸出(dBm):11備貨交貨時間:3-4周CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路設計選取要求的pHEMT方法研發:柵極長短0.25μm,使用的基板的通孔,大氣橋和手機束柵星空刻。
它以電子器件行駛打造。