CHA2069-FAB 都是個三環節的自偏置移動寬帶單支低低頻噪音調小器。
該電源電路選擇標準的的pHEMT工藝設備制做:柵極長寬高0.25μm,依據的基板的通孔,熱空氣橋和光電子束柵極夜刻。
可以用到無鉛外觀貼裝全圍合彩石陶瓷圖片6x6mm2裝封。縱向電壓為4.5V / 55mA。
該控制電路專用箱于月球基地技術利用,也十分的是和一些紅外光和豪米波技術利用和系統。
微波通信元電器元件
CHA2069-FAB 變小器– LNA頻射帶寬的配置(GHZ):16 - 32增益值(dB):22增益控制同軸度(dB):1躁音因子(dB):2.5P-1dB輸入(dBm):10進貨貨期:3-4周
CHA2069-FAB 都是個三環節的自偏置移動寬帶單支低低頻噪音調小器。
該電源電路選擇標準的的pHEMT工藝設備制做:柵極長寬高0.25μm,依據的基板的通孔,熱空氣橋和光電子束柵極夜刻。
可以用到無鉛外觀貼裝全圍合彩石陶瓷圖片6x6mm2裝封。縱向電壓為4.5V / 55mA。
該控制電路專用箱于月球基地技術利用,也十分的是和一些紅外光和豪米波技術利用和系統。