CHA2066-99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路系統主要包括標準的的pHEMT工藝流程研制:柵極總長0.25μm,確認基鋼板的通孔,氣體橋和光學束柵神行者刻。
它以處理芯片結構類型展示。
微波加熱元元件
CHA2066-99F 放大器– LNA
頻射服務器帶寬(GHZ): 10 - 16增益值(dB):16增加收益同軸度(dB):0.5噪音污染常數(dB):2P-1dB輸出的(dBm):10進貨交貨期:3-4周CHA2066-99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路系統主要包括標準的的pHEMT工藝流程研制:柵極總長0.25μm,確認基鋼板的通孔,氣體橋和光學束柵神行者刻。
它以處理芯片結構類型展示。