CMD253C3有的是款高IP3雙發展混頻器,所采用無鉛表面上貼裝打包封裝,可以用于6至14 GHz當中的兩排轉變app。伴隨整合了balun構造,CMD253C3對rf射頻和中頻接口都享有很高的底部隔離度,還會在低至+15dBm的低控制電平下任務。CMD253C3就能夠很易地搭配為帶其他混頻器和工率分攤器的圖片抑制作用混頻器或一側帶熬制器。
特性
低換算耗損
高IP3
高防曬隔離霜度
寬中頻帶寬度寬
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT封裝
聲音頻率LO / RF(GHz):6-14
頻繁 IF(GHz):DC - 5
增加收益(dB):-6
LO-RF要進行隔離(dB):43
LO-IF防護隔離(dB):39
輸進IP3(dBm):23
包:3x3 mm QFN
CMD253C3有的是款高IP3雙發展混頻器,所采用無鉛表面上貼裝打包封裝,可以用于6至14 GHz當中的兩排轉變app。伴隨整合了balun構造,CMD253C3對rf射頻和中頻接口都享有很高的底部隔離度,還會在低至+15dBm的低控制電平下任務。CMD253C3就能夠很易地搭配為帶其他混頻器和工率分攤器的圖片抑制作用混頻器或一側帶熬制器。
特性
低換算耗損
高IP3
高防曬隔離霜度
寬中頻帶寬度寬
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT封裝