AM005WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI產品的一臺分。HiFET是廣泛用于壓力、大功效和寬帶網應該用的那部件一致元元器件封裝配制。該那部件的總元元器件封裝外部為1毫米左右(一個0.5亳米并接場因素結晶管)。AM005WH2-BI-R專為高效率微波通信應運而規劃,操作規律可以達到12GHz。它也是最大最大功率主設備的理想化驅使步驟。BI一系列選用特殊化制作的陶瓷制品封口,選用嵌到式裝置模式,暗含微彎(BI-G)或直(BI)輸電線。二極管封裝底的法蘭盤此外代替直流電接地極極、頻射接地極極和熱出入口。此的部分貼合RoHS。
特性
高達獨角獸12GHz的高頻實際操作
高增益值和高電功率,P1dB=26 dBm@3.5 GHz
外面貼裝
合理散熱的最底層
操作
無線數字地方環鐵路網絡
蜂窩有線電電力
WLAN、中繼器和超的局域網
C光波VSAT
統計