AM025WN-00-R是一個種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總長寬為2.5分米(多個1.25亳米FET電容串聯)。它就是一個裸模,可進行到達15千兆赫。它都可以出示40.5 dBm的典范是處于飽和狀態瓦數。此方面達到RoHS。
特性
高達hg15GHz的高頻方法
在2GHz時增加收益=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
用途
蜂窩wlan基站設備
無線數字虛擬局域網、中繼器
C中波段VSAT
統計
測量分析儀器
俄羅斯軍事
紅外光元器件
頻率:DC-15GHz
增益值:21
P1dB(DBM):38.9
PSAT(DBM):40.5
VD(V):28
AM025WN-00-R是一個種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總長寬為2.5分米(多個1.25亳米FET電容串聯)。它就是一個裸模,可進行到達15千兆赫。它都可以出示40.5 dBm的典范是處于飽和狀態瓦數。此方面達到RoHS。
特性
高達hg15GHz的高頻方法
在2GHz時增加收益=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
用途
蜂窩wlan基站設備
無線數字虛擬局域網、中繼器
C中波段VSAT
統計
測量分析儀器
俄羅斯軍事