常常
微波加熱元電子元器件封裝
AM012WN-BI-R就是一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總尺寸為1.25直徑。它是在某個瓷質雙包操作流程將高達10千兆赫。BI系類按照層次性設計構思的陶瓷制品打包封裝，按照放到式組裝行為，中帶耐折（BI-G）或直（BI）輸電線。二極管封裝最下面的法蘭片也重復使用電流保護接地極、微波射頻保護接地極和熱的通道。此那部分達到RoHS。
有特點
高達mg10GHz的低頻基本操作
增益值=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz
界面貼裝
有效性散熱性能的低層
軟件
高的動態發送器
蜂窩無線路由移動信號塔
網絡帶寬和窄帶縮放器
聲納
測試軟件檢測設備
軍事科學
電磁波輻射器