AM025WN-BI-R就是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總長寬比為2.5mm。它是一種個陶瓷廠家封裝類型,做工作工作頻率將高達8千兆赫。BI型號運用專項 方案的瓷磚封裝形式,運用置入式連接形式,有帶回彎(BI-G)或直(BI)絕緣線。打包封裝邊側的法蘭部一并用來交流電與地面極、rf射頻與地面極和熱通暢。此局部適合RoHS。
的特征
獨角獸高達8GHz的高頻率實際操作
收獲=16 dB,P5dB=40 dBm,PAE=52%,漏極=56%@3 GHz
表面層貼裝
高效cpu散熱的低層
軟件應用
高動態的傳輸器
蜂窩無線wifi信號塔
光纖寬帶和窄帶放小器
汽車雷達
考試測量儀器
軍事
影響器
漢語
紅外光元配件