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Cree工廠的CMPA2560025F就是種根據氮化鎵（GaN）高電子設備元器件轉遷率硫化鋅管（HEMT）的片式徽波集合三極管（MMIC）。與硅或砷化鎵好于，GaN擁有高些的擊穿電阻值電阻值、高些的趨于穩定電子設備元器件漂移流速和高些的熱導率。與Si和GaAs硫化鋅管好于，GaN-hemt還擁有高些的工率容重和更寬的上行寬帶。種MMIC其中包含個二級癥狀適合變成器，使愈來愈寬的上行寬帶是可以在個小的占地賠償空間的卡緊二極管封裝，擁有銅鎢排熱器。

特征英文?24 dB小網絡信號收獲?25 W主要PSAT?工作上交流電壓多達28 V?高電流擊穿電流?高溫環境使用

運用?超長帶增加器?金屬推動器?自測分析儀器?EMC調大器