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XC2100A-05S都是款低態度、高效能的3dB混合法型交叉耦合器，運用新的更易施用、加工和諧的外觀裝置芯片封裝。它是為NMT中波段運用而構思的。XC2100A-05S是專為穩定性工作效率和低的噪音圖像放大器電路，算上信息確定和另外的須得低放不足和非常嚴格的振動幅度和相位穩定性的運用而構思的。它可以適用可高達45瓦的高工作效率運用。元器件已過從嚴的簽別測試軟件，從而二者是適用熱變形指數公式（CTE）的的的材料制做的，等的的材料與FR4、G-10、RF-35、RO4350和聚酰亞胺等普通材料兼容。展示5/6錫鉛（XC0450A-03P）和6/6 RoHS兼容浸錫（XC0450A-03S）兩個技術參數。

XC2100A-05S特色：?410–480兆赫?非俄羅斯軍事操練?特別低的耗率?密切協作震幅均衡性?高要進行隔離度?研發信賴型?磁帶和秘藥?帶來無鉛（含砷）或錫鉛?安全可靠，互相配合=0.53