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X3C25P1-05S就是一些低狀態，高能5dB定向培養藕合器在一些新的有利于的采用，生產制造友善的表皮安轉芯片封裝。它是為LTE和WiMAX應該用而規劃的。X3C25P1-05S專為高熱效率放縮器中的非二進制溶合和組裝而規劃，舉個例子，與3dB一并的采用以拿到3路，或是一些需用低復制耗損率的網絡信號重新分配應該用。它可能用在高達到60瓦的高熱效率應該用。所需要的零部件就已經 過按照嚴格的簽別測式，它們的是用到熱增長彈性系數（CTE）的板材制造技術的，以下板材與FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺等常有基本材料兼容。所采用契合RoHS標準規定的6/6浸錫性飾面種植

X3C25P1-05S的特點：?2300-2700兆赫?WiMAX和LTE?高電機功率?十分的低的耗損?嚴密解耦?高面向性?分娩合理型?磁帶和魔石?無鉛