X3C21P1-03S是個低身份,高的性能的3dB比調交叉耦合器在這個新的更能選用,生產和睦的表皮裝二極管封裝。它是為LTE和WIMAX頻段采用而方案的的。該X3C21P1-03S是專為靜態發展電機公率和低背景噪聲調大器,帶上警報配置和別的需用低復制到耗損率和緊湊的震幅和相位靜態發展的采用而方案的的。它能能于獨角獸高達110瓦的高電機公率采用。零件加工現在已經過嚴格執行的鑒定會試驗,想一想是采用熱澎脹比率(CTE)的原相關材料打造的,這類原相關材料與FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺等常有材料的特性兼容。出產6個不符合RoHS原則的浸錫性飾面。
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微波射頻元元器件封裝封裝