EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口長寬比為120μm,0.15μm。T形鋁制品鑄鐵閘門具有著低電阻值和很棒的可以信賴性。
該電子元件展現出相對高的跨導,以此從而導致相對高的工作頻率和低嗓聲能。
它以集成電路芯片風格給出,中含能夠 孔相連接的源極,僅需束縛柵線和漏極線。
紅外光元電子元器件
EC2612-99F 晶體管
rf射頻網絡帶寬(GHz): 直流電壓-40增加收益(dB):9.5嘈音數值(dB):1.5訂購交貨期:3-4周EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口長寬比為120μm,0.15μm。T形鋁制品鑄鐵閘門具有著低電阻值和很棒的可以信賴性。
該電子元件展現出相對高的跨導,以此從而導致相對高的工作頻率和低嗓聲能。
它以集成電路芯片風格給出,中含能夠 孔相連接的源極,僅需束縛柵線和漏極線。