CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為Lk線的不同的RF工作效率應運展示 了移動寬帶克服計劃方案。該線路無比適合脈寬統計用途。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT制作工藝上給出的。它源于準MMIC新技術。
它以具備RoHS的SMD二極管封裝給予。
微波射頻元功率器件
CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管
rf射頻網絡帶寬(GHz): 1.2-1.4小數據信息增益值(dB):16工率(W):15相應的增益值(dB): > 14P-1dB輸出的(dBm):-PAE(%): > 55進貨交貨期:3-4周CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為Lk線的不同的RF工作效率應運展示 了移動寬帶克服計劃方案。該線路無比適合脈寬統計用途。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT制作工藝上給出的。它源于準MMIC新技術。
它以具備RoHS的SMD二極管封裝給予。