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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

決定性性能參數

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

微波射頻上行帶寬（GHz）： 1.2-1.4小信息增益控制（dB）：20工作電壓（W）：200有關的收獲（dB）： > 14P-1dB輸出的（dBm）：-PAE（％）： 52定購貨期：3-4周

軟件詳細情況介紹一下

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

無比更適合脈沖造成的統計運用。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT加工上給出的。它為準MMIC技術性。

它利用封密蝶閥法蘭瓷質塑料24v電源打包封裝，可帶來了低寄生菌和低散熱量。

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