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CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
很重要因素

CHK8101a99F  氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@率（GHz）： 14 @ 6運作頻次（GHz）：至多6個飽合電機功率（W）：  20PAE（％）@頻繁 （GHz）： 60 @ 6定購交貨時間：3-4周

品牌：UMS微波

食品信息簡紹

CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該企業產品為汽車雷達和聯通網絡帶寬等不同的RF電源開關用途展示普通和網絡帶寬很好解決策劃方案。

它是因為SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技藝開拓的，但會特殊不符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006指令英文的暫行規定。

它以裸IC芯片形態提供，而且必須要 其他自動匹配三極管。


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