CHA2159-99F是一款四級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這簡化了組裝過程。
它結構設計在從軍事到金融業微波通信體統的諸多運用。
該電源電路所采用pHEMT加工開發,柵極厚度為0.15μm,在襯底的通孔,空氣中橋和電子設備束柵幻影刻的技術開發。
它以IC芯片風格出示。
微波通信元電子電子元件
CHA2159-99F 圖像功率放大器– LNA頻射上行寬帶(GHZ):55-65增益值(dB):20增益值同軸度(dB):1背景噪聲標準值(dB):4P-1dB模擬輸出(dBm):14備貨交貨時間:3-4周
CHA2159-99F是一款四級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這簡化了組裝過程。
它結構設計在從軍事到金融業微波通信體統的諸多運用。
該電源電路所采用pHEMT加工開發,柵極厚度為0.15μm,在襯底的通孔,空氣中橋和電子設備束柵幻影刻的技術開發。
它以IC芯片風格出示。