CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板分為標準化的pHEMT制作工藝制做:柵極直徑0.25μm,經過基鋼板的通孔,大氣橋和電子為了滿足電子時代發展的需求,束柵極夜刻。
它以電源芯片形態能提供。
微波通信元電子器件封裝
CHA2190-99F 放大器– LNA
頻射上行速率(GHZ):20 - 30收獲(dB):15收獲同軸度(dB):0.5噪音分貝數值(dB):2.2P-1dB的輸出(dBm):11進貨貨期:3-4周CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板分為標準化的pHEMT制作工藝制做:柵極直徑0.25μm,經過基鋼板的通孔,大氣橋和電子為了滿足電子時代發展的需求,束柵極夜刻。
它以電源芯片形態能提供。