CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該控制電路采取標準單位的pHEMT制作工藝制作:柵極間距0.25μm,進行柔性板的通孔,自然空氣橋和電子器件束柵幻影刻。
它以存儲芯片行式具備。
微波加熱元電子元件
CHA2069-99F 放大器– LNA
頻射下行帶寬(GHZ):16 - 31增益值(dB):22增益值同軸度(dB):1背景噪聲指數公式(dB):2.5P-1dB輸出(dBm):10備貨貨期:3-4周CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該控制電路采取標準單位的pHEMT制作工藝制作:柵極間距0.25μm,進行柔性板的通孔,自然空氣橋和電子器件束柵幻影刻。
它以存儲芯片行式具備。