CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該電路系統采用了pHEMT工藝設備造成,柵極段長度為0.25μm,能夠 柔性板的通孔,空氣的橋和電子器材束柵神行者刻水平造成。
它以符合要求RoHS的SMD封裝供給。
微波通信元電子器件封裝
CHA3688aQDG 放大器– LNA
rf射頻帶寬起步(GHZ):12.5-30收獲(dB):26增加收益同軸度(dB):2嗓聲標準值(dB):2P-1dB轉換(dBm):14訂購交貨:3-4周CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該電路系統采用了pHEMT工藝設備造成,柵極段長度為0.25μm,能夠 柔性板的通孔,空氣的橋和電子器材束柵神行者刻水平造成。
它以符合要求RoHS的SMD封裝供給。