所述CHA3666-FAB是二級自偏置寬頻帶寬度單面低躁音調大器。
該電路系統使用標準規定的pHEMT技藝手工制造:柵極的長度0.25μm,使用基材的通孔,氣體橋和電子器材束柵星空刻。
提議主要包括無鉛外表面貼裝全半封閉合金淘瓷6x6mm2芯片封裝。整個電源線為4V / 80mA。
該電源線路專屬于外太空應該用,也十分的比較適合各方面紅外光和毫米(mm)波應該用和操作系統。
微波加熱元電子電子器件
CHA3666-FAB 放大器– LNA
rf射頻上行速率(GHZ): 6 - 16增益值(dB):21增益值同軸度(dB):1背景噪聲數值(dB):1.8P-1dB讀取(dBm):17定購貨期:3-4周所述CHA3666-FAB是二級自偏置寬頻帶寬度單面低躁音調大器。
該電路系統使用標準規定的pHEMT技藝手工制造:柵極的長度0.25μm,使用基材的通孔,氣體橋和電子器材束柵星空刻。
提議主要包括無鉛外表面貼裝全半封閉合金淘瓷6x6mm2芯片封裝。整個電源線為4V / 80mA。
該電源線路專屬于外太空應該用,也十分的比較適合各方面紅外光和毫米(mm)波應該用和操作系統。