硅基氮化鎵寬帶晶體管,DC-6 GHz,5W,28V
NPTB00004A GaN HEMT是為DC-6 GHz操作而優化的寬帶晶體管。該器件專為CW,脈沖和線性操作而設計,采用工業標準表面貼裝SOIC塑料封裝,輸出功率水平高達5W(37 dBm)。在低于3GHz的頻率下,NPTB00004A替代了NPTB00004。
特征
- DC-6 GHz的寬帶網工作
- NPTB00004的取代品變低
- 排水的工作壓縮效率高(> 55%)
- 服務業標準的塑料制品彩盒
- 28V控制
應用領域
- 航班航空工業與飲水機
- 帶寬普通
- 防御網絡通訊
- 現實主義
- VHF / UHF / L中波段預警雷達
- 無線數字根本設施設備
中文名
微波加熱元電子電子元器件