中文名
微波射頻元集成電路芯片
AM005WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI系例的一款分。HiFET是主要用于壓力、大額定功率和網絡帶寬應運的大部位配比元元器件配備。該大部位的總元元器件外部為1厘米（多個0.5毫米（mm）并聯電阻計算場調節作用結晶管）。AM005WH2-BI-R專為高馬力微波射頻用途而設計的概念，辦公次數可達到12GHz。它也是更強工作電壓機器的比較好控制執行程序。BI類型主要包括了特定設計的概念的衛浴陶瓷芯片封裝，主要包括了置入式施工手段，有拉伸（BI-G）或直（BI）電纜。芯片封裝底下的卡箍時候重復使用整流跨接、rf射頻跨接和熱入口。此大部分貼合RoHS。
表現
更是高達12GHz的低頻進行操作
高增加收益和高工作功率，P1dB=26 dBm@3.5 GHz
外表貼裝
管用導熱的最底層
應用
遠程本土環公路網絡
蜂窩wlan電通信設備
WLAN、中繼器和超局域網共享
C頻譜VSAT
統計