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微波通信元電子電子元件
AM010MH4-BI-R是砷化鎵HIFET的BI題材的一個分。HiFET有的是種位置適配的專利局系統分配，使用壓力、大效率、高直線和網絡帶寬應用領域。該結構件的總系統外面為4直徑。AM010MH4-BI-R專為高瓦數徽波app而設計方案，運作頻次高達hg3GHz。BI系列表分為特有規劃的瓷器封口，彎曲成或挺直的引線和活套法蘭盤分為加上式組裝策略。彩盒尾部的活套法蘭盤同時對于交流電等電位連接裝置、頻射等電位連接裝置和熱區域。這類HiFET具備RoHS標準化。
特色
28V漏極偏壓
帶寬大部分一致：DC–2.4GHz
達到了3 GHz的低頻操作流程
高增益控制：G=19dB@2.0GHz
高輸出功率：P1dB=31dBm@2.0GHz
高規則化：IP3=46dBm@2.0GHz
可以有效排熱的陶瓷廠家進行包裝
采用
寬帶網絡操作
高壓力20至28V
無限當地環道路絡
PC移動信號塔
WLAN、中繼器和超局域網連接
C中波段VSAT
民用航空網絡網絡通信