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AM025WN-00-R都是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總高度為2.5亳米（幾個1.25毫米左右FET串并聯）。它是一個個裸模，可操作方法達到了15千兆赫。它就能夠供應40.5 dBm的典型的過剩電率。此的部分非常符合RoHS。

特征英文

高至15GHz的中頻使用

在2GHz時增加收益=21dB

PAE=53%

P5dB=40.5 dBm

用途

蜂窩無線網基站天線

wlan局域網ip、中繼器

C光波VSAT

雷達天線

測量議器

軍用