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AM012WN-BI-R是一種種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總厚度為1.25公分。它是在一款 瓷器雙包使用達到10千兆赫。BI類型用于異常構思的瓷器打包封裝，用于融入到式安裝程序原則，帶異曲折（BI-G）或直（BI）電線。封口下方的蝶閥法蘭并且做為電流接地裝置極、rf射頻接地裝置極和熱區域。此一些符合標準RoHS。

有特點

更是高達10GHz的中頻操作流程

增益值=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz

外表面貼裝

管用cpu散熱的表層

軟件

高靜態傳輸器

蜂窩wifi手機移動基站

聯通寬帶和窄帶變成器

雷達探測

軟件測試實驗室設備

國防軍事

串擾器