中文名
微波射頻元集成電路芯片
AM025WN-BI-R是一種種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總參數為2.5mm。它有的是個衛浴陶瓷封口，業務頻段高達到8千兆赫。BI系類應用了特出設定的陶瓷廠家芯片封裝，應用了添加式安裝原則，含有微彎（BI-G）或直（BI）電線。裝封底的法蘭片此外用做直流變壓器地線保護、rf射頻地線保護和熱車道。此要素按照RoHS。
優點
敢達8GHz的低頻的操作
增加收益=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
表面層貼裝
行之有效散熱管的下層社會
運用
高動圖收到器
蜂窩無線網基站設備
移動寬帶和窄帶變大器
雷達探測
測試英文醫療儀器
美國軍事
騷擾器