AM032MH4-BI-R是GaAs HIFET的BI類型的是一個部分。HiFET一種位置適配的著作權主的設備配資,用做油田、大效率和網絡帶寬應運。該零件的總主的設備內圍為12.8mm毫米。AM032MH4-BI-R專為高電率微波射頻用途而結構設計,本職工作頻點超過6GHz。BI全系列適用特定設定的陶瓷圖片封裝形式,彎度或彎彎曲曲的引線和法蘭部部適用讀取式配置方法。打包底邊的法蘭部部而且做為直流電源與地面、頻射與地面和熱清算通道。那樣HiFET具備RoHS標準的。
特征英文
28伏漏極偏壓
寬帶網絡要素輸入:DC–2.4GHz
萬代高達6GHz的中頻控制
高增加收益:G=19dB@2GHz
高公率:P1dB=35dBm@2.0GHz
高線形:IP3=50dBm@2.0GHz
很好的散熱管的瓷器包裝方式
適用
帶寬廣泛應用
進行高壓20至28V
有線本地化環道路絡
PC基站設備
WLAN、中繼器和超無線局域網
C波長VSAT
空航電子器件微波通信